Отзывы Оперативная память Kingston ValueRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (KVR16S11S8/4)

Отзывы Оперативная память Kingston ValueRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (KVR16S11S8/4)

  • 1 модуль
  • частота 1600 МГц
  • CL 11T
  • тайминги 11-11-11
  • напряжение 1.5 В
Отзыв о товаре:
Оперативная память Kingston ValueRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (KVR16S11S8/4)
Ваша оценка

5Отзывов 1
1
0
0
0
0
C любой оценкой
  • C любой оценкой
  • Отзывы с оценкой 5
Достоинства:
ОП точно подошла под ноутбук. Работает хорошо.
Недостатки:
Пока не замечено, и, надеюсь, не будет.
Комментарий:
Приобрёл оперативную память, думал сначала что не пойдёт и не будет работать (насмотрелся обзоров и начитался статей), но, к счастью, подобрал ОП по характеристикам ноутбука правильно. Память увеличилась с 4 до 8 гигов. Отдельно тоже ноутбук видит плашку.Рад, что приобрёл нужный, а главное полностью совместимо рабочий товар к своему ноутбуку! :)
Производительность сразу подлетела в разы.

Покупал, конечно же, для игр, ну и для обработки видео и фото. Star Wars battlefront 2015 раньше шла с 10-19 фпс со стабильными фризами, а теперь без фризов стабильно 25-35 фпс (в зависимости от локации). Плюс раньше загрузка самой игры занимала около 5 минут, сейчас от силы 1.

GTA 5 раньше 20-25 фпс с артефактами и ооочень медленной прогрузкой ландшафта, теперь же 25-30 со стабильно прогруженой картой.

World of Tanks - ну, тут без комментариев. Сильно в этой игре нельзя назвать прирост производительности. И до этого всё шло нормально.

Adobe Photoshop и Sony Vegas Pro 10.0 - немного улучшена стабильность (отсутствие задержек) и быстродействие приложения.

https://catalog.onliner.by/dram/kingston/kvr16s11s84 - оперативная память.

ноутбук: Lenovo b5400; core i5 4200m 2.5 GHz, gt720m (1gb), 4gb (теперь 8).

Естественно, с таким железом в топ игры не поиграть, но на минималочках (если не быть придирой к супер модному графону) самое то.

Я доволен)
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Отправить

Характеристики Kingston ValueRAM 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (KVR16S11S8/4)

Основные
Набор 1 модуль
Объем 4 ГБ
Тип DDR3 SO-DIMM
ECC
Частота 1600 МГц
PC-индекс PC3-12800
CAS Latency 11T
Тайминги 11-11-11
Напряжение питания 1.5 В
Технические характеристики
Расположение чипов двустороннее
Число микросхем 8
Ёмкость микросхем 4 Гбит
Тип микросхем 512Mx8
Профили XMP
Конструкция
Охлаждение
Низкопрофильный модуль

Похожие товары