Отзывы Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M378A2K43CB1-CRC

Отзывы Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M378A2K43CB1-CRC

  • 1 модуль
  • частота 2400 МГц
  • CL 17T
  • тайминги 17-17-17
  • напряжение 1.2 В
Отзыв о товаре:
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M378A2K43CB1-CRC
Ваша оценка

5Отзывов 1
1
0
0
0
0
C любой оценкой
  • C любой оценкой
  • Отзывы с оценкой 5
Достоинства:
ценник (прямо сейчас неактуально, но я брал дешевле других фирм)
разгон
чипы samsung c-die (ну естественно)
Недостатки:
пока не обнаружено, да и это память, какие тут могут быть недостатки....
Комментарий:
Ryzen 1600x + AsRock Gaming mini-itx

нет времени долго гонять в прайме (+ корпус mini-itx, для более серьезных тестов все-таки надо подождать пока радиаторы приедут, охлаждение то никакое). На текущий момент завелась на 3200MHz 18-18-18-39, напряжение 1.3В. После получаса в прайме - ошибок нет. На 3333 в прайме ошибка минут через 15 (может и пройдет, после подбора напряжения/таймингов, времени пока не много). На 3466 - не запустилась, причем сама настройки не сбросила (пришлось вручную). Повышать напряжение/тайминги из-за недостатка времени не пробовал дальше, хотя есть куда.

при дефолтных настройках 2667 CL17 1.2В уже не запустилась (на 2400 мать сбросила сама), отчего очень удивлен, что достаточно легко взяла 3200. Вообще на одноранговых модулях 8GB на этих же чипах до 3000 вроде при 1.2В часто гонится, подозреваю что двухранговые все-таки требуют чуть большего напряжения и тут оно уже и так было "ниже некуда".

Память двухранговая, поэтому такой разгон считаю очень добротным. Сейчас ценник конский, взял за примерно 170 уе по курсу - своих денег стоит. Убедился на личном примере, что c-die гонится не хуже чем b-die.
Оптимальная память без лишней переплаты
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Отправить

Характеристики Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M378A2K43CB1-CRC

Основные
Набор 1 модуль
Объем 16 ГБ
Тип DDR4 DIMM
ECC
Частота 2400 МГц
PC-индекс PC4-19200
CAS Latency 17T
Тайминги 17-17-17
Напряжение питания 1.2 В
Технические характеристики
Расположение чипов двустороннее
Число микросхем 16
Ёмкость микросхем 8 Гбит
Тип микросхем 1Gx8
Профили XMP
Профили AMP
Конструкция
Охлаждение
Низкопрофильный модуль

Похожие товары