Отзывы SSD Samsung 960 Evo 1TB [MZ-V6E1T0BW]

Отзывы SSD Samsung 960 Evo 1TB [MZ-V6E1T0BW]

  • M.2
  • PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.1)
  • контроллер Samsung Polaris
  • микросхемы TLC
  • последовательный доступ: 3200/1900 MBps
  • случайный доступ: 380000/14000 IOps
Отзыв о товаре:
SSD Samsung 960 Evo 1TB [MZ-V6E1T0BW]
Ваша оценка

5Отзывов 3
3
0
0
0
0
C любой оценкой
  • C любой оценкой
  • Отзывы с оценкой 5
Достоинства:
скорость
3D V-NAND
Недостатки:
цена
Комментарий:
Отличный диск, очень быстрый. Память TLC 3D V-NAND долговечности сравнима с MLC и надежней её.
Супер штука
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Достоинства:
Высокая производительность;
Хорошая цена;
Оптимальный объем
Недостатки:
Не самое высокое время наработки на отказ. Но, думаю, для домашнего ПК вполне хватит.
Комментарий:
Мой первый твердотельный накопитель. Выбирал специально под интерфейс M.2, чтобы сэкономить слот. К тому же, у данного интерфейса такая же большая скорость как у PCI Express 3.0 ×4. Объёма накопителя вполне хватает и для Windows 10, и для установленного ПО, и пользовательским данным.
Тесты производительности выполненные утилитой от Samsung, практически соответствуют заявленным (см. скриншот).
Отличная модель с по хорошей цене
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Достоинства:
Соотношение цена/качетво. Гарантия
Недостатки:
Память TLC
Комментарий:
Хороший Жесткий диск за свои деньги. Конкуренты не дремлют, но на момент покупки соотношение цена/качество отличные. Результаты тестов на скринах ниже. Внимание, для того чтобы все хорошо работало, нужно скачать и установить последнюю версию драйвера для этого диска с сайта Samsung. В биосе для нужного M2 разъема выставить режим PCI-E 4X
Сумасшедшая скорость по отличной цене
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Отправить

Характеристики Samsung 960 Evo 1TB [MZ-V6E1T0BW]

Основные
Объём 1 ТБ
Технические характеристики
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 3.0 x4  (NVMe 1.1)
Буфер 1 024 МБ
Тип микросхем Flash TLC
Контроллер Samsung Polaris
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 3 200 МБ/с
Скорость последовательной записи 1 900 МБ/с
Средняя скорость случайного чтения 380 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 14 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 5 Вт
Энергопотребление (ожидание) 1.2 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч